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IRF6607
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
BV DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 250μA
?Β V DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
29
–––
mV/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
2.5
3.3
m ?
V GS = 10V, I D = 25A
–––
3.4
4.4
V GS = 4.5V, I D = 20A
V GS(th)
? V GS(th) / ? T J
I DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
1.3
–––
–––
–––
–––
-5.3
–––
–––
2.0
–––
30
50
V
mV/°C
μA
μA
V DS = V GS , I D = 250μA
V DS = 24V, V GS = 0V
V DS = 30V, V GS = 0V
–––
–––
100
V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 70°C
I GSS
gfs
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Q oss
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
–––
–––
120
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
50
13
4.0
16
18
20
30
100
-100
–––
75
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nA
S
nC
nC
V GS = 12V
V GS = -12V
V DS = 15V, I D = 20A
V DS = 15V
V GS = 4.5V
I D = 20A
See Fig. 16
V DS = 16V, V GS = 0V
R G
t d(on)
t r
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
–––
–––
–––
0.86
60
8.0
1.9
–––
–––
?
V DD = 15V, V GS = 4.5V
I D = 20A
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
32
13
6930
1260
510
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
Clamped Inductive Load
V GS = 0V
V DS = 15V
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
–––
–––
–––
51
20
0.36
mJ
A
mJ
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–––
38
MOSFET symbol
D
(Body Diode)
A
showing the
I SM
Pulsed Source Current
–––
–––
220
integral reverse
G
(Body Diode)
p-n junction diode.
S
V SD
t rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
–––
–––
1.0
46
1.3
69
V
ns
T J = 25°C, I S = 20A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 20A
Q rr
2
Reverse Recovery Charge
–––
54
81
nC
di/dt = 100A/μs
www.irf.com
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